회사의 차세대 비 V-SCHT 플래그십 스마트 폰 인 Samsung Galaxy S26 Ultra는 대규모 RAM 업그레이드를 얻을 수 있습니다. 보고서에 따르면,이 장치에는 2024 년 4 월 한국 기술 대기업의 반도체 섹션에서 처음 발표 한 10.7 GBPS LPDDR5 X RAM이 장착 될 수 있습니다. 새로운 RAM은 새로운 RAM이 전기 효율성을 동일한 비율로 향상시킬 때 전화의 성능을 25 % 증가 시킨다고합니다. 핸드셋은 Galaxy S26 Pro 및 Galaxy S26 Edge 모델과 함께 출시 될 것으로 예상됩니다.
삼성 갤럭시 S26 울트라는 더 강력 할 수 있습니다
Samobile 보고서 (Tipstar @universe Now-Deck Post)에 따르면 Galaxy S26 Ultra 10.7 GBP는 데이터 전송의 전송과 함께 LPDDR5 XA를 특징으로 할 수 있습니다. 이 드럼은 2024 년 4 월 삼성에 의해 공개되었으며 12nm 프로세스 기술을 사용하여 만들어졌으며 기존 LPDDR의 가장 작은 칩 크기로 만들어졌습니다.
이 발표 게시물에서 Tech Giant는 10.7 GBPS LPDDR 5 X DRAM이 이전 세대의 25 % 이상을 30 % 이상 향상시킬 것이라고 주장합니다. 또한 전력 효율을 25 % 증가 시킨다고합니다.
Sambail은 Galaxy S26 Ultra 가이 칩셋을 갖춘 최초의 삼성 전화가 될 것이라고 주장하지만, Gsmarena는 Galaxy S 25 Ultra에서도 사용되었다고 주장했다. 회사는 공식적으로 RAM 유형을 게시하지 않기 때문에 확인하기가 어렵습니다.
그러나 동일한 선언 게시물에서 한국 기술 대기업은 “모바일 애플리케이션 프로세서 (AP) 및 모바일 장치 공급 업체와의 검증에 따라 10.7 GBPS LPDDR5X의 대량은 하반기에 시작될 것입니다.”
이 타임 라인이 고려되면, 10.7 GBPS LPDDR 5 X RAM은 2024 년 말까지 모든 장치에 추가 될 준비가되지 않았을 것입니다. 그 당시 Galaxy S2 Ultra는 이미 생산 단계에서 매우 깊이있을 것이며 새로운 RAM은 장착 될 가능성이 적었습니다. 그러나 이것은 단지 상상력 일 뿐이며 회사는 그것을 확인하지 않고는 아무 말도 할 수 없습니다.
