- 多數十年的嘗試後，Ultraram試圖統一存儲和記憶
- 2023年的Innovate UK資金為Quinas Technology提供了關鍵動力
- 在閃存峰會上的識別提升了Ultraram的商業可見性
數十年來，對單個內存可以將閃存存儲的持久性與系統內存的速度相結合。
幾個候選人，例如抵抗記憶，磁磁細胞和英特爾的Optane SSD，試圖合併這些角色，但沒有持續在主流市場中。
然而，幾年前，注意力轉移到了最初在蘭開斯特大學設計的技術，後來由英國Quinas Technology（英國創業公司）推進，該技術將研究變成了實用產品。
從學術研究到原型記憶
早期研究 這項技術將這項技術描述為“具有實現快速，超低能電子存儲的潛力的非揮發性記憶”，升高希望它可以彌合SSD和RAM之間的差距。
Quinas Technology在2023年獲得了支持商業科學的政府機構Innovate UK的贈款，該動力在2023年增長。
該獎項是在同年在閃存峰會上認可的，該公司贏得了大多數創新的閃存啟動獎。
資金使奎納斯從實驗室規模的原型轉向納米尺度設備，如果Ultraram要與市場上最大的SSD和RAM產品競爭，這是關鍵要求。
為了使一個民族機構對該項目充滿信心，甚至基金也表明，超越投機性研究已經取得了進步。
這代表了開始認真縮放工作所需的“巨大提升”，這通常是從生產前步履蹣跚的早期記憶技術中缺少的一步。
據說Ultraram可以將快速進入時間與超低開關能量和存儲耐力相結合，並可能在幾個世紀以內測量。
這也是一項壽命超過平均SSD閃存存儲的技術，但功率需求較低。
它有望在提供NAND的不揮發性時匹配RAM的讀寫速度。
如果此類索賠規模符合，將來的計算設備可以將存儲和內存合併為單層。
它不僅會消除SSD和RAM之間的傳統鴻溝，而且還可以使常規的內存DIMM過時，因為它將DRAM的速度與閃光燈的持久性結合在一起，同時消除了影響兩者的效率低下的效率。
與DRAM不同，它不需要持續的刷新或破壞性讀取，與Flash不同，它不需要充電泵或磨損級別。
然而，工業挑戰不應被低估。英特爾的Optane技術還承諾提供混合解決方案，但由於採用不佳和成本較高，最終被撤回。
與當今最大的SSD相當的製造密度以及低於十納米的一致產量仍然不確定。
這些障礙意味著Ultraram作為通用記憶的想法仍然比保證的結果更接近攻擊。
通過 PC遊戲玩家
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#隨著科學資金的流動將SSD和RAM合併到一個記憶中
